igbt 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp 晶体管提供基极电流，使igbt 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使igbt 关断。igbt 的驱动方法和mosfet 基本相同，只需控制输入极n一沟道mosfet ，所以具有高输入阻抗特性。当mosfet 的沟道形成后，从p+ 基极注入到n 一层的空穴(少子)，对n 一层进行电导调制，减小n 一层的电阻，使igbt 在高电压时，也具有低的通态电压。
igbt模块参数的选择
igbt已广泛应用于20khz的硬开关变换器及频率更高的软开关变换器中。通常情况下，选择igbt模块的参数时应考虑以下几个方面的因素。
功率开关器件额定值（额定电压和额定电流）
根据功率开关器件生产厂家提供的资料（比如日本三菱公司的应用手册），正确选用igbt有两个关键的因素：一是功率开关器件关断时，在任何被要求的过载条件下，集电极峰值电流必须处于开关安全工作区的规定之内（即小于两倍的额定电流）；二是igbt工作时的内部结点温度必须始终保持在150℃以下，在任何情况下，包括负载过载时，都必须如此。在使用igbt模块的场合，选择何种电压、电流规格的igbt模块，需要依据变换器的电路拓扑和负载特性等参数。
igbt的安全工作条件
驱动电路：由于igbt的uce(sat)和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为+ug=15v±10%，-ug=5 -10v。栅极电阻与igbt的开通和关断特性密切相关，rg小时开关损耗减少，开关时间缩短，关断脉冲电压增大。应根据浪涌电压和开关损耗的最佳折衷关系（与频率有关）选择合适的rg值，一般选为10~27欧。为防止栅极开路，在栅极与发射极间并联20~30k欧的电阻。
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