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三星今天宣布生产16gb gddr6显存颗粒
三星于今日宣布已开始批量生产16gb gddr6显存颗粒，该颗粒采用10nm工艺，比目前20nm工艺的8gb gddr5颗粒先进两代，而数据传输速度也高达72gbps/s，工作电压仅为1.35v，因此无论是性能还是节能方面都优秀于gddr5。
看来hbm2显存在下一代显卡上面依然不会普及，gddr6将作为主力显存应用于绝大部分显卡。毕竟目前显存性能或者说数据带宽已经不是显卡性能的瓶颈了，因此gddr6还是很理想的。
nvidia在gtx 1080显卡上使用了美光gddr5x显存，频率高达10ghz，位宽不变的情况下带宽也大幅提升。由于成本问题，在gtx 1070显卡上使用的还是gddr5显存，频率也提升到了8ghz。先发评测中gtx 1070显卡用的都是三星gddr5颗粒，后续产品也有使用美光显存，不过美光显存上来就给玩家惹了麻烦，超频时容易导致驱动崩溃，现在nvidia已经推出了新版bios，解决了这个问题。
现在，法国、意大利的一些电商纷纷提前上架了三星860 qvo，并给出了明确规格、价格，预计12月份发布并开卖。
游民星空
860 qvo是标准的2.5寸sata硬盘，容量至少有1tb、2tb、4tb三种版本，qlc的大存储密度终于体现出来了，而性能是标准水平：持续读写高550mb/s、520mb/s，随机读写高96000 iops、89000 iops。
价格方面，欧洲电商给出的不含税预售价是117.50、225.96、451.93欧元，加上19％的税差不多是140、270、540欧元(￥1105、2130、4265)，要远远低于860 evo系列同样容量的160、380、850欧元。
在国内，860 evo sata 1/2/4tb目前分别卖1299/2199/5799元，860 pro sata 1/2tb分别卖1999/4199元。
看这意思，低价大容量ssd的时代要开启了，qlc可以啊。机械硬盘又该怎么办呢？
提升性能容量：镁光发布单颗12-gb的lpddr4x移动内存颗粒
随着智能手机和平板电脑市场的日渐兴盛，消费者对于设备存储容量和性能的需求也水涨船高。尽管容量不一定是衡量性能的一的标准，但在5g到来之后，应用程序和网络连接将对内存子系统提出越来越高的要求。实际上，即便在当下，成像子系统和人工智能等工作负载，也需要高性能存储架构的鼎力支持。有鉴于此，镁光宣布了首款面向移动设备的单片12gb（1.5gb）lpddr4x动态随机存储器芯片。
镁光表示，为提升效率和降低能耗，该12-gblpddr4x内存颗粒将采用10-nm工艺生产。
与上一代产品相比，其速率可达4266mb/s，功耗还降低了10%。此外，芯片密度允许手机等移动设备，实现更高的总存储容量。
这款lpddr4x内存新品已经上市，感兴趣的移动设备设计师可以与镁光联系采购。
趁此机会，hpe(原惠普企业部门)也推出了新一代服务器proliant dl385 gen10，搭载amd epyc处理器，全球一家配备了三星的这种64gb大内存，双路32条插槽，总内存2tb。
同时还有一款单路的hpe proliant dl325 gen10，16条插槽，总内存也有1tb。
hpe透露，新内存可以带来16％的性能提升。
三星还透露，很快就会开始试产16gb die颗粒的256gb内存条，使用四rank、八rank tsv技术，预计今年年底完成，可以为双路服务器提供8tb的系统内存。
三月份首次公开展示之后，三星电子今天宣布，已经全球个开始量产基于16gb(2gb) die颗粒的新一代64gb ddr4 rdimm内存条，主要面向企业和云服务应用。
三星表示，这条内存的标准频率为2666mhz，后续还可以轻松提升，同时功耗比两条32gb的节省多达19％。
三星这种大容量内存主要面向amd epyc服务器平台，因为后者内存扩展性能极佳，支持八通道，每路配16条内存插槽，使用这种64gb内存条的话，总容量就可以达到2tb。
英伟达下一代产品将搭载：sk hynix 海力士 gddr6 显存颗粒
爱果转
百家号01-2400:13
紧跟samsung（三星）脚步，在三星宣布gdrr6正式投入量产后，现在sk hynix（海力士）也开始行动，官方宣布已开始向oem厂商供货，相比三星的量产阶段，海力士这次是赶在了三星之前，据悉sk hynix gdrr6会率先出现在新一代英伟达volta新架构显卡中。
据了解，此次推出的颗粒共有四个版本，单颗容量均为8gb（256m×32），也就是1gb，工艺上采用108ball fcbga封装。编号“h56c8h24mjr-s2c”的有14gbps、12gbps两种速率规格，电压分别为1.35v、1.25v，编号“h56c8h24mjr-s0c”的则分为12gbps、10gbps，电压同样对应1.35v、1.25v。对比上周公布的三星18ghz 16gb gdrr6颗粒，海力士gdrr6容量和频率等规格均处于劣势，具体性能差距不得而知，可能英伟达会针对不同定位产品采用不同类型方案，总之一切谜底将会在3月前后揭晓。
三星/sk海力士筹划2019年增产dram颗粒
三星/sk海力士筹划2019年增产dram颗粒
【it168 资讯】虽然双11期间，国内内存价格往复波动，特别是市场操盘一流的金士顿，但从源头供应来看，如果不是很急的刚需，建议一定忍住。继三星计划在2019年对dram进行扩产之后，sk海力士和美光也松口了。
据digitimes报道，sk海力士将在无锡兴建第二座晶圆厂，投资86亿美元，时间是2019年。该厂的产能为20万片/月，采用1xnm工艺。目前sk海力士无锡一厂（2006年开始运行）的产能是13万片，已经占到了集团dram的半壁江山。
同时，digitimes也进一步披露了三星的产能扩张计划，月增8万到10万片，总产能从当下的39万片提高到多50万。
报道称，4gb ddr4 pc内存模组的协议价已经从去年q2的13美元飙升到预计年底30.5美元，6个季度增长了160%。三星、sk海力士都希望能在新的波浪式周期中掌握主动权，并且拉低价格遏制对手的入局，比如国产dram。
尔必达25nm制程4gbit内存颗粒开发完成
2011-09-22 13:32:28 出处：快科技 作者：chrisr 编辑：chrisr 人气： 4075 次 评论(11)点击可以复制本篇文章的标题和链接
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8月初,尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称，采用25nm新工艺制造的4gbit ddr3 sdram颗粒研发完成，芯片面积在同类产品(4gbit dram颗粒）中属世界小。
新的内存颗粒型号为edj4104bcbg／edj4108bcbg，位宽分别为4bit/8bit，尔必达称相比自家之前的30nm制程4gbit ddr3内存颗粒，1枚晶圆可切割出的芯片数量增加了45%，极大降低了生产成本。同时运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%，高传输速度可达1866mbps以上（即此颗粒制成的内存频率高1866mhz），默认电压为1.5v，同时有低电压1.35v的版本。
尔必达表示新的内存颗粒将在今年12月份开始试产，预计也将在同月开始量产并批量出货。