如何从国外进口科研测试用的igbt模块到国内
我国发展igbt面对的具体问题
虽然用量和可控要求我们发展igbt，我们也做了很多努力，但当中还是有些问题需要重点考虑的：
igbt技术与工艺
我国的功率半导体技术包括芯片设计、制造和模块封装技术目前都还处于起步阶段。功率半导体芯片技术研究一般采取“设计+代工”模式，即由设计公司提出芯片设计方案，由国内的一些集成电路公司代工生产。
由于这些集成电路公司大多没有独立的功率器件生产线，只能利用现有的集成电路生产工艺完成芯片加工，所以设计生产的基本是一些低压芯片。与普通ic芯片相比，大功率器件有许多特有的技术难题，如芯片的减薄工艺，背面工艺等。解决这些难题不仅需要成熟的工艺技术，更需要先进的工艺设备，这些都是我国功率半导体产业发展过程中急需解决的问题。
从80年代初到现在igbt芯片体内结构设计有非穿通型(npt)、穿通型(pt)和弱穿通型(lpt)等类型，在改善igbt的开关性能和通态压降等性能上做了大量工作。但是把上述设计在工艺上实现却有相当大的难度。尤其是薄片工艺和背面工艺。工艺上正面的绝缘钝化，背面的减薄国内的做的都不是很好。
薄片工艺，特定耐压指标的igbt器件，芯片厚度也是特定的，需要减薄到200-100um，甚至到80um，现在国内可以将晶圆减薄到175um，再低就没有能力了。比如在100~200um的量级，当硅片磨薄到如此地步后，后续的加工处理就比较困难了，特别是对于8寸以上的大硅片，极易破碎，难度更大。
背面工艺，包括了背面离子注入，退火激活，背面金属化等工艺步骤，由于正面金属的熔点的限制，这些背面工艺必须在低温下进行(不超过450°c)，退火激活这一步难度极大。背面注入以及退火，此工艺并不像想象的那么简单。国外某些公司可代加工，但是他们一旦与客户签订协议，就不再给中国客户代提供加工服务。
在模块封装技术方面，国内基本掌握了传统的焊接式封装技术，其中中低压模块封装厂家较多，高压模块封装主要集中在南车与北车两家公司。与国外公司相比，技术上的差距依然存在。国外公司基于传统封装技术相继研发出多种先进封装技术，能够大幅提高模块的功率密度、散热性能与长期可靠性，并初步实现了商业应用。
高端工艺开发人员非常缺乏，现有研发人员的设计水平有待提高。目前国内没有系统掌握igbt制造工艺的人才。从国外先进功率器件公司引进是捷径。但单单引进一个人很难掌握igbt制造的全流程，而要引进一个团队难度太大。国外igbt制造中许多技术是有专利保护。目前如果要从国外购买igbt设计和制造技术，还牵涉到好多专利方面的东西。
万享的发展历程：
万享创业初期，我们既没有丰富的资源，更没有优厚的政策支持，只能在夹缝中生存。我们的服务只能选择以目标为导向，经营着其他同行一样的服务项目：海空运代理、拖车、代理报关报检等。随着全球化、信息化、市场化不断深入，传统商业模式受到了前所未有的挑战，创新商业模式势在必行。凭着对行业的浸透，资源整合能力的提升。我们明白，想成为一个优秀的企业也应该像水一样，只有在业务创新、服务质量、客户满意度上下功夫，才能够站稳脚跟，立足市场；只有真诚守信，一切以客户为中心，以客户需求为导向，以客户满意为准绳，才能够***终得到客户的认可，获得更大的发展。
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