| 品牌HOMSEMI | 型号HS30N10DA |
| 种类绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型N沟道 |
| 导电方式增强型 | 用途DC/直流 |
| 封装外形SMD(SO)/表面封装 | 材料N-FET硅N沟道 |
| 是否跨境货源否 | 货号17+ |
| 批号17+ | 封装TO252 |
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深圳市硕实科技有限公司原装供应hs30n10da 30a 100v mosfet封装to252 如有需要可致电联系0755-83040406
hs30n10是n沟道模式电源。采用homemi先进技术提供的mosfet具有***小导通电阻低门的客户充电和高开关速度。hs30n10适用于高电压。同步整流和dc／dc变换器等。
特性：
1》rds(on)<52m? @ vgs=10v, id=30a
2》high switching speed
应用：
1》高电压
2》同步整流和dc／dc变换器
额定值（tc = 25°c时，除非另有规定）:
漏源电压----------------------100v
栅源电压----------------------±20v
漏电流连续:
（vgs＝10v）tc＝25°c-----30a
脉冲的------------------------120a
单脉冲雪崩能量（注2）-------55mj
功率耗散---------------------44w
结温-------------------------+150°c
贮藏温度---------------------55~+150°c
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林先生
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