igbt/mosfet驱动光耦fod3120、fod3150、fod3180
标签：igbt驱动，mosfet驱动，驱动光耦
目前igbt已经广泛应用在电力电子系统中，比如变频器，电机驱动控制，ups不间断电源，逆变焊机等产品中，因为其兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的特性，故可使用 mosfet 驱动技术进行驱动。
由于igbt 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，使用光耦进行隔离具有体积小、结构简单、应用方便等优点。
当if输入 h 时，tr1导通，tr2截止，因此 vo=vcc – vtr1=h
此时io的电流向外，基于此点，故可以接一个栅极电阻后直接驱动igbt，无需外接电路
当if输入 l 时，tr1截止，tr2导通，此时 vo=vgnd+vtr2=l
此时如果igbt栅极上有残存的电荷，可通过tr2到gnd进行放电，关闭igbt
逻辑关系如下：
fod3120具有2.5a的电流输出能力，fod3150具有1.0a的电流输出能力，而fod3180不仅具有2.0a的电流输出能力，还具有最大200ns极低延迟的高速特性。
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