描述
stp6625是p沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
采用高密度，dmos器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制，以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用，noteook电源管理和治疗
电池供电的电路中的高侧开关。
特征
-5.0a 60v，rds（上）= 60mω（典型值
@ vgs = 10
-3.0a 60v，rds（上）= 85mω
@ vgs = 4.5v
超高密度电池设计
极低的rds（on）
l特殊的阻力和最大值
直流电流的能力
l sop-8封装设计
司坦森集成电路（深圳）有限公司
15986616804
中国 深圳