广州显存颗粒FX777

深圳市福田区亿泰辉电子商行
nvidia在gtx 1080显卡上使用了美光gddr5x显存,频率高达10ghz,位宽不变的情况下带宽也大幅提升。由于成本问题,在gtx 1070显卡上使用的还是gddr5显存,频率也提升到了8ghz。先发评测中gtx 1070显卡用的都是三星gddr5颗粒,后续产品也有使用美光显存,不过美光显存上来就给玩家惹了麻烦,超频时容易导致驱动崩溃,现在nvidia已经推出了新版bios,解决了这个问题。
英伟达下一代产品将搭载:sk hynix 海力士 gddr6 显存颗粒
爱果转
百家号01-2400:13
紧跟samsung(三星)脚步,在三星宣布gdrr6正式投入量产后,现在sk hynix(海力士)也开始行动,官方宣布已开始向oem厂商供货,相比三星的量产阶段,海力士这次是赶在了三星之前,据悉sk hynix gdrr6会率先出现在新一代英伟达volta新架构显卡中。
据了解,此次推出的颗粒共有四个版本,单颗容量均为8gb(256m×32),也就是1gb,工艺上采用108ball fcbga封装。编号“h56c8h24mjr-s2c”的有14gbps、12gbps两种速率规格,电压分别为1.35v、1.25v,编号“h56c8h24mjr-s0c”的则分为12gbps、10gbps,电压同样对应1.35v、1.25v。对比上周公布的三星18ghz 16gb gdrr6颗粒,海力士gdrr6容量和频率等规格均处于劣势,具体性能差距不得而知,可能英伟达会针对不同定位产品采用不同类型方案,总之一切谜底将会在3月前后揭晓。
尔必达25nm制程4gbit内存颗粒开发完成
2011-09-22 13:32:28 出处:快科技 作者:chrisr 编辑:chrisr 人气: 4075 次 评论(11)点击可以复制本篇文章的标题和链接
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8月初,尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称,采用25nm新工艺制造的4gbit ddr3 sdram颗粒研发完成,芯片面积在同类产品(4gbit dram颗粒)中属世界小。
新的内存颗粒型号为edj4104bcbg/edj4108bcbg,位宽分别为4bit/8bit,尔必达称相比自家之前的30nm制程4gbit ddr3内存颗粒,1枚晶圆可切割出的芯片数量增加了45%,极大降低了生产成本。同时运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%,高传输速度可达1866mbps以上(即此颗粒制成的内存频率高1866mhz),默认电压为1.5v,同时有低电压1.35v的版本。
尔必达表示新的内存颗粒将在今年12月份开始试产,预计也将在同月开始量产并批量出货。
尔必达宣布全球小40nm 2gb移动内存颗粒
2010-05-14 18:33:29 出处:快科技 作者:以军 编辑:以军 人气: 5386 次 评论(9)点击可以复制本篇文章的标题和链接
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据报道,日本dram大厂尔必达今天宣布已经研发出40nm 2gb移动(mobile ram)内存颗粒。该颗粒大小不到50平方毫米,号称目前能够使用40nm工艺实现量产的小颗粒。
该2gb移动内存颗粒基于40nm cmos工艺,支持x16-bit、x32-bit位宽,采用60/90-ball fbga或pop式fbga封装。除jedec标准的1.8v电压外,该颗粒还可支持1.2v的低电压工作,数据传输率400mbps,工作温度-25到85度。
尔必达称,新40nm颗粒在使用了尔必达少见设计工艺以及对电路、整体设计的优化后,功耗相比之前50nm颗粒降低30%。一颗40nm 2gb移动颗粒的功耗比两颗1gb颗粒功耗一半还少。而且在不改变颗粒封装空间的前提下,新颗粒密度提高两倍,适用于智能手机、平板机等其它手持设备。
据悉尔必达将在今年六月份出货样品颗粒,7月份就有可能实现量产,尔必达广岛工厂将负责新颗粒的生产。
相比三星、sk hynix显存颗粒,美光显存颗粒少见得多,去年中才开始商业出货20nm工艺的gddr5颗粒,8gb容量。由于美光进入gddr5市场要比三星晚的多,所以他们的主要精力放在了gddr5x上,希望用这种改良版显存实现对三星、sk hynix的超车。
gtx 1070显卡先发评测时我们看到的显卡使用的都是三星gddr5颗粒,后续产品中开始出现美光显存的。由于nvidia现在是打包gpu芯片和显存产品一并出售给显卡厂商,所以使用美光显存的产品不止出现在一家显卡厂商的产品中。
现在,法国、意大利的一些电商纷纷提前上架了三星860 qvo,并给出了明确规格、价格,预计12月份发布并开卖。
游民星空
860 qvo是标准的2.5寸sata硬盘,容量至少有1tb、2tb、4tb三种版本,qlc的大存储密度终于体现出来了,而性能是标准水平:持续读写高550mb/s、520mb/s,随机读写高96000 iops、89000 iops。
价格方面,欧洲电商给出的不含税预售价是117.50、225.96、451.93欧元,加上19%的税差不多是140、270、540欧元(¥1105、2130、4265),要远远低于860 evo系列同样容量的160、380、850欧元。
在国内,860 evo sata 1/2/4tb目前分别卖1299/2199/5799元,860 pro sata 1/2tb分别卖1999/4199元。
看这意思,低价大容量ssd的时代要开启了,qlc可以啊。机械硬盘又该怎么办呢?
联芸科技对外发布支持96层镁光b27a的 3d tlc nand闪存颗粒
工程师青青 发表于 2018-11-19 17:22:31
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11月15日, 国产知名ssd主控芯片原厂联芸科技(maxio)再下一城,正式对外宣布mas0902固态硬盘主控芯片已全面支持新96层3d tlc nand 闪存颗粒,并对外提供搭载联芸科技自主研发支持原厂3d tlc nand高品质固件的固态硬盘完整解决方案。据了解,mas0902固态硬盘主控芯片,已经适配了全球全部量产的所有3d mlc/tlc nand闪存颗粒,继在今年9月国内先发量产支持64层3d qlc后,现已全面支持新96层3d nand闪存颗粒。此次发布的96层3d tlc nand闪存固态硬盘解决方案,客户无需修改硬件,为客户快速量产提供了极大的便利性。联芸科技新发布支持96层tlc的3d nand闪存颗粒,高容量可达到4tb,其性能也代表了行业的标杆,在1tb容量下连续读写性能达到:560mb/s,528mb/s;随机读写性能达到:396mb/s,315mb/s,跑分超过900分。
联芸科技对外发布支持96层镁光b27a的 3d tlc nand闪存颗粒
联芸科技副总经理李国阳表示,mas0902主控芯片于去年10月份荣获工信部csip第十二届中国芯“具潜质产品”奖之后,快速获得市场认可,并在今年11月份刚刚荣获工信部ccid第三届中国芯“优秀市场表现产品”奖,这也自2010年以来一连续两次获得中国芯年度荣誉国产ssd主控芯片。目前该主控芯片已经能够为客户在不进行硬件改版的情况下,提供支持目前市场上全部量产的3d nand颗粒的高品质ssd解决方案,也是目前全球一一款能够成熟支持从32gb到4tb容量的dramless解决方案的主控芯片。联芸科技将基于不同市场对ssd的不同要求,全面布局消费级、工控类工控级、企业级、监控级、商密级多应用场景高品质ssd解决方案。联芸科技作为全球为数不多掌握ssd主控芯片及解决方案核心技术厂商,将始终为中国乃至全球ssd客户带来极具性价比的产品和服务。
据悉,目前联芸科技对外发布的支持96层镁光b27a的 3d tlc nand 闪存颗粒,已经可以与客户同步测试并协助量产。首批获得联芸科技技术授权厂商,预计将在11月底前正式推出基于国产主控mas0902+96层3d tlc nand原厂颗粒系列固态硬盘,将会给市场带来更多选择。联芸科技mas0902主控芯片搭载原厂新96层3d tlc nand 闪存颗粒解决方案成功量产,也标志着国产ssd固态硬盘主控已经在芯片设计、固件开发以及量产测试方面从跟随到逐步超越的实质性突破。