近日,据国外媒体报道,三星电子将对其中国西安芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进nand闪存芯片的生产。
这是三星西安闪存芯片项目的二期第二阶段投资,此前108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元,第一阶段投资约70亿美元,第二阶段为80亿美元。
2017年,三星宣布将在三年内向位于西安的nand闪存芯片工厂投资70亿美元。在这些投资进行之前,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。
据悉,二期项目预计于2021年下半年竣工,建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元。
业内人士分析,三星此次投资正值全球内存市场预计于明年反弹之际。由于中国5g网络布局提速,对5g设备和网络需求的不断上升,明年全球内存芯片市场将出现反弹,因而加大中国芯片厂商的投资也是明智之举。三星是全球最大的nand闪存芯片制造商,这类芯片可以可用于移动设备、存储卡、u盘和固态硬盘中。
三星在nand闪存领域的竞争对手包括韩国sk海力士(sk hynix)和美国美光科技(micron technology)以及日本东芝,几家中国企业也正试图进入内存领域,但它们至今尚未取得太大成功,还不足以与这些巨头竞争。
今年秋季,长江存储科技有限责任公司(ymtc)宣布,将开始大规模生产64层3d nand芯片,这是多数领先行业企业遵循的基准。