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三星qlc颗粒的860 qvo固态硬盘正式上架发售 大4tb售451.93欧元
2018-11-22 12:58:58 来源：快科技 作者：上方文q 编辑：听风飞舞 浏览：96
今年8月初，nand闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级qlc ssd，sata接口，大容量4tb，采用第四代v-nand，64层3d堆叠，单芯片容量1tb(128gb)。
相比三星、sk hynix显存颗粒，美光显存颗粒少见得多，去年中才开始商业出货20nm工艺的gddr5颗粒，8gb容量。由于美光进入gddr5市场要比三星晚的多，所以他们的主要精力放在了gddr5x上，希望用这种改良版显存实现对三星、sk hynix的超车。
gtx 1070显卡先发评测时我们看到的显卡使用的都是三星gddr5颗粒，后续产品中开始出现美光显存的。由于nvidia现在是打包gpu芯片和显存产品一并出售给显卡厂商，所以使用美光显存的产品不止出现在一家显卡厂商的产品中。
三星/sk海力士筹划2018年增产dram颗粒
三星/sk海力士筹划2018年增产dram颗粒
【it168 资讯】虽然双11期间，国内内存价格往复波动，特别是市场操盘一流的金士顿，但从源头供应来看，如果不是很急的刚需，建议一定忍住。继三星计划在2018年对dram进行扩产之后，sk海力士和美光也松口了。
据digitimes报道，sk海力士将在无锡兴建第二座晶圆厂，投资86亿美元，时间是2018年。该厂的产能为20万片/月，采用1xnm工艺。目前sk海力士无锡一厂（2006年开始运行）的产能是13万片，已经占到了集团dram的半壁江山。
同时，digitimes也进一步披露了三星的产能扩张计划，月增8万到10万片，总产能从当下的39万片提高到多50万。
报道称，4gb ddr4 pc内存模组的协议价已经从去年q2的13美元飙升到预计年底30.5美元，6个季度增长了160%。三星、sk海力士都希望能在新的波浪式周期中掌握主动权，并且拉低价格遏制对手的入局，比如国产dram。
据台湾媒体报道，尔必达计划投资30亿元新台币（约9550万美元）在台湾投建研发中心。报道引自台湾当局官员的表述称，尔必达已经向他们提出了补贴申请，以帮助投建该研发中心。为了获得台湾合作伙伴在产能上的支持，尔必达已经向力晶半导体、华邦、茂德授权了有关dram处理工艺。
号外！尔必达新颗粒上市 内存厂商疯抢
采用尔必达ddr3颗粒的记忆内存
号外！尔必达新颗粒上市 内存厂商疯抢
采用尔必达ddr3颗粒的记忆内存
另据有消息称，在尔必达颗粒制程调整后，66-62nm颗粒推出后首供记忆内存使用。致力服务于国内oem电脑生产厂商内存提供商的记忆内存，其内存专门供应联想、方正、长城、nec、同方、实达、浪潮、海信、海尔、tcl等厂商。其精湛做工和稳定的性能，长久以来博得了众多电脑厂商的认可。
号外！尔必达新颗粒上市 内存厂商疯抢
三星今天宣布生产16gb gddr6显存颗粒
三星于今日宣布已开始批量生产16gb gddr6显存颗粒，该颗粒采用10nm工艺，比目前20nm工艺的8gb gddr5颗粒先进两代，而数据传输速度也高达72gbps/s，工作电压仅为1.35v，因此无论是性能还是节能方面都优秀于gddr5。
看来hbm2显存在下一代显卡上面依然不会普及，gddr6将作为主力显存应用于绝大部分显卡。毕竟目前显存性能或者说数据带宽已经不是显卡性能的瓶颈了，因此gddr6还是很理想的。
英伟达下一代产品将搭载：sk hynix 海力士 gddr6 显存颗粒
爱果转
百家号01-2400:13
紧跟samsung（三星）脚步，在三星宣布gdrr6正式投入量产后，现在sk hynix（海力士）也开始行动，官方宣布已开始向oem厂商供货，相比三星的量产阶段，海力士这次是赶在了三星之前，据悉sk hynix gdrr6会率先出现在新一代英伟达volta新架构显卡中。
据了解，此次推出的颗粒共有四个版本，单颗容量均为8gb（256m×32），也就是1gb，工艺上采用108ball fcbga封装。编号“h56c8h24mjr-s2c”的有14gbps、12gbps两种速率规格，电压分别为1.35v、1.25v，编号“h56c8h24mjr-s0c”的则分为12gbps、10gbps，电压同样对应1.35v、1.25v。对比上周公布的三星18ghz 16gb gdrr6颗粒，海力士gdrr6容量和频率等规格均处于劣势，具体性能差距不得而知，可能英伟达会针对不同定位产品采用不同类型方案，总之一切谜底将会在3月前后揭晓。
nvidia在gtx 1080显卡上使用了美光gddr5x显存，频率高达10ghz，位宽不变的情况下带宽也大幅提升。由于成本问题，在gtx 1070显卡上使用的还是gddr5显存，频率也提升到了8ghz。先发评测中gtx 1070显卡用的都是三星gddr5颗粒，后续产品也有使用美光显存，不过美光显存上来就给玩家惹了麻烦，超频时容易导致驱动崩溃，现在nvidia已经推出了新版bios，解决了这个问题。
尔必达25nm制程4gbit内存颗粒开发完成
2011-09-22 13:32:28 出处：快科技 作者：chrisr 编辑：chrisr 人气： 4075 次 评论(11)点击可以复制本篇文章的标题和链接
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8月初,尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称，采用25nm新工艺制造的4gbit ddr3 sdram颗粒研发完成，芯片面积在同类产品(4gbit dram颗粒）中属世界小。
新的内存颗粒型号为edj4104bcbg／edj4108bcbg，位宽分别为4bit/8bit，尔必达称相比自家之前的30nm制程4gbit ddr3内存颗粒，1枚晶圆可切割出的芯片数量增加了45%，极大降低了生产成本。同时运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%，高传输速度可达1866mbps以上（即此颗粒制成的内存频率高1866mhz），默认电压为1.5v，同时有低电压1.35v的版本。
尔必达表示新的内存颗粒将在今年12月份开始试产，预计也将在同月开始量产并批量出货。