可控硅在工业成产中十分常见，同时，它也比较容易因为各种原因而损坏。下面就给大家说一下保护可控硅的几种方法：
过电压的保护
可控硅对电压十分的敏感，当正向电压超过其短态重复峰值电压udrm一定的数值时可控硅就会发生误导通，从而引发电路故障；而当反向电压超过其反向重复峰值电压udrm一定的数值时，可控硅就会立即损坏。
过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管是很危险的。所以要谨慎注意。
过电流的保护
由于半导体具有体积小、热容量低的特点，所以像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须要收到严格的控制，不然则会造成设备器件的彻底损坏。如果晶闸管中的电流大于指定电流值时，其中的热量来不及挥发，使得气温升高，从而破坏器件。
晶闸管过电流保护方法常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢，在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏；所以不能用来保护晶闸管。快速熔断器由银制熔丝埋于石英沙内，熔断时间极短，可以用来保护晶闸管。
以上就是保护可控硅的方法，你学会了吗？