二极管正向性：
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服pn结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，pn结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5v，锗管约为0.1v。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8v，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3v。
二极管反向性：
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在na数量级，小功率锗管在μa数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
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