当地时间3月25日，三星电子宣布，将推出业内首款采用极紫外光刻技术（euv）设计的dram内存模块。
作为全球领先的内存制造商之一，三星表示，全球客户对其首批100万个10nm级ddr4 dram模块的评价还不错，三星将很快开始处理全球分销的订单。
euv技术令内存模块的制造更加精确和快速。它通过减少重复步骤的次数来加速光刻过程，并促进复杂芯片图案的生产。意味着芯片性能精度会更高、开发时间会更短。
三星并不是唯一一家专注于euv技术的公司。台积电去年就开始使用euv技术生产其7nm n7＋芯片。根据公司的测试，这些芯片可以容纳高达20％的晶体管密度，比使用氩氟化物激光光刻技术制造的老式n7芯片少10％的功耗。
英特尔在近20年前就开始探索euv工艺，英特尔目前正在为其新芯片生产线做准备。去年夏天，英特尔的euv研究员兼主管布里特·图尔科特（britt turkot）说，工程师们在设计使用euv的生产系统时面临挑战，原因是它的复杂性和成本。芯片制造公司将需要建造新的设施来处理新技术。
三星将在未来所有dram芯片上使用10nm euv技术。这将包括基于d1的16gb ddr5和用于电脑的lpddr5内存芯片，预计将于2021年投入生产。它还包括用于智能手机的lpddr4x ram芯片。
三星dram部门执行副总裁李俊白jung－bae lee表示：“随着我们基于euv技术的新dram的量产，我们正在兑现为it界提供革命性的dram解决方案的承诺。”