200V高低边栅极驱动器在封装中提供了高性能

专家介绍，新款DGD2003S8、DGD2005S8和DGD2012S8是200V栅极驱动器IC，用于驱动半桥配置的两个外部N沟道MOSFET。下面具体来看一下本文的讲解。
这些二极管栅极驱动器具有高边和低边输出驱动能力，并且兼容高于2.5V的简单逻辑电平输入，可在微控制器和电机或逆变器中的功率MOSFET开关之间提供简便的接口。
DGD20xxS8栅极驱动器通过浮动高边支持高达200V的半桥电路，适用于电池供电设备中的各种电机驱动应用。
DGD2003S8、DGD2005S8和DGD2012S8栅极驱动器采用标准的薄型SO-8封装。它们采用结隔离电平转换技术以创建浮动通道高边驱动器，用于自举拓扑。
英飞凌的高性能CIPOS?Maxi智能功率模块（IPM）为电机提供了高度集成的逆变器功率级，帮助系统设计人员在优化PCB尺寸和系统成本的同时实现高可靠性。
CIPOSMaxi产品可用于控制带有变速驱动器的三相交流电机和永磁电机。它们在额定电压高达1200V的系统中支持高达1.8kW的电机功率负载。小尺寸的CIPOSMaxiIPM采用36mmx23mm的高效散热DIP封装，意味着用户可以获得最高功率密度以及1200VIPM级别的最佳性能。