目前正在开发新的肖特基技术，目标是克服平面和沟槽技术所受的由金属-半导体转换导致的反向电压限制。Nexperia的路线图预测肖特基整流器的反向电压范围将首先扩展到200V，最终高达600V。下面具体来了解一下。
肖特基整流器设计中最重要的创新之一就是采用CFP封装，这种封装具有很高的热效率。封装设计具有坚固的铜夹和裸露的散热片，可降低封装的热阻并使热量更好地传递到周围环境：这有助于电源系统设计人员创建更小更薄的电路板设计。
这些封装的额定正向电流最高可达15A。根据Nexperia路线图，CFP封装的整流器将来能够处理30A以上的电流。与早期的SMA封装器件相比，CFP3封装可节省50％的空间。
除平面硅技术外，Nexperia还提供越来越多可选的硅整流器技术，经过调整以满足特定应用的要求。沟槽肖特基整流器：这些高性能器件基于Nexperia现有的平面型产品系列，提供低反向电流和低正向电压的组合。这样可以提高热稳定性并降低热失控的风险。沟槽肖特基整流器的最高结温为175°C，符合AEC-Q101标准。?
具有低反向电流的肖特基整流器：这些肖特基整流器针对低反向电流进行了优化，适用于在高温下需要热稳定性的应用。
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