ft838mbd内置mos5v2a充电器方案 ft838mbd内置mos dip-8封装过五级能效5v2a充电器方案 5v2a充电器方案ft838mbdft838mbd
应用:充电器
功率:5v/2a
输入电压范围:90~264v
输出电压/电流:5v/2a
尺寸:45.3*36.9mm
典型效率:79%
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手机: 刘小姐
qq:2850187690
emi:pass
空载待机功耗:
最大输出纹波:
方案名称:ft838mbd_5v/2a
产品优势:
1. 高效率>=78.7% @115v/230v
2. 低待机功耗
3. 输出纹波噪音低
4. 内置mos,dip8封装,ic温升低,外围元件少,成本低
5. 在五星能效标准基础上有充足的效率余量。
详细资料方案请联系
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fmd最新产品一览图以及其优势与可替换方案
ft833s11 内置mos 3w 250ma
ft833a11 内置mos 3-5w 300ma
可替代 晶丰源 9011 9022 明威 7523
可替代bp3122、bp9011
ft833b12 内置mos 7-9w sop-8
可替代 晶丰源 bp3133
适然威
ft833bd 内置mos 12w sop-8
ft8260为不可调光 sot23-6
ft8261 为可调光ic sot23-6 外挂mos 可做30w以,精度3%,效率88%以上
ft8260b 7w
可替代 晶丰源bp7933 可互相兼容
ft883a 3.6w 内置mos 非隔离不带pf值优势为市面上仅有的即可降压又可升压的电源ic;可满足欧洲pf值,精准度高,最大电流为45ma,也就是说最大能够做到5w
ft886a 7-18w 内置mos 非隔离不带pf值只具有降压功能
可取代: 晶丰源bp2832、bp2822
ft8900dd 内置mos dip封装可面向24w(含)以下瓦数
ft8901b 7w 内置mos 可调光恒流稳定在3% 以下
ft8901 30w以下外挂mos 可调光
ft8901dd 24w以下 dip直插内置mos 可调光(其中瓦数以电流电压来判断其可用范围,每个型号ic均已最典型方案提出瓦数)
充电器
ft839nb 内置三极管(npn) 5v1a 六级能效分为带外电容y与不带外电容y,带外电容的多用于适配器,不带电容的多应用于手机充电器;带y电容的成本会更高,波纹会更加稳定
ft839mb 内置mos 5v1.5a 六级能效
ft838mbd 内置mos dip-8封装过五级能效
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刘盈
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