叙述：安森美半导体推出世界级的高密度电源适配器方案 最小的65w usb
2018年3月7日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (on semiconductor，美国纳斯达克上市代号：on) 推出全新世界级的高密度电源适配器方案，用于需要兼容usb供电（usb pd）或高通quick charge™规格的笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。这一包含多项正待批专利的方案，包括有源钳位反激（acf）控制器ncp1568和一个相应的高速半桥驱动器ncp51530。该方案是一个65 w 符合usb-pd的适配器，具有30 win^3的功率密度，以945%的峰值能效工作。在业界当中，可换头电源适配器一直处于行业的佼佼者，后来居上却从不傲慢，低调中坚守品质。
ncp1568是一款高度集成的ac-dc脉宽调制（pwm）控制器，采用acf拓扑结构，包含零电压开关（zvs），用于要求高功率密度和高能效的高频应用（高达1 mhz）。此外，ncp1568控制器可以应用经验证的超结（sj）fet或高性能氮化镓（gan）fet的acf拓扑结构。
通过包含高压启动，一个基于ncp1568的方案只需少量外部元件，降低待机能耗。此外，工作的高频率使无源元件尺寸得以缩减，大幅提高功率密度。它能够无缝过渡到非连续导电模式（dcm），进一步提高轻载条件下的能效，使待机功率水平低于30毫瓦（mw）。这也使电源设计人员能通过全球能效监管标准。自适应zvs频率调制提供可变输出电压，优化usb-pd和快速充电的实施。
ncp1568采用小型tssop-16封装，具有多重保护功能。静音跳跃功能消除工作时的可闻噪声，这是室内电源适配器应用的一个基本需求。
ncp51530ab是700伏（v）高频率、高端与低端驱动器，可直接驱动高性能电源应用中的两个n沟道功率mosfet。其特点是快速的动态响应，30纳秒（ns）的传播延迟对于高频工作是理想的，而5 ns的传播延迟匹配确保领先市场的能效性能。
这器件提供非常强固的方案，具有高dvdt免疫性（高达50 vns）和负瞬态免疫性。它采用soic-8或dfn-10封装，后者提供了改进的爬电距离和一个裸露焊盘。另有一个采用so-8封装、通过aec-q100认证的版本，适用于高要求的汽车应用。
安森美半导体ac-dc业务部市场与应用总监ryan zahn表示：这方案代表现代电源适配器和电池充电器设计的重大进步。ncp1568 acf控制器具备先进的功能和灵活的操作，提供卓越的能效；同时使用了sj fet，且只需少量外部元件，实现usb pd的高密度设计。 ncp51530驱动器是一款高速、高性能、强固的电源方案，亦包括针对汽车应用的aec q-100认证选择。
安森美半导体现提供ncp1568和ncp51530样品，并将于2018年第二季度全面量产。
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