| 类型存储器 | 品牌宜扬 华邦 旺宏 兆易 |
| 型号25Q64 25Q80 25Q40 | 封装SOP8 |
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nor和nand是市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术,彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了nand flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
nand 闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb )，这种结构的优点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 nor 闪存要差。
折叠
flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的,而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除nor器件时是以64~128kb的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除nand器件是以8~32kb的块进行的,执行相同的操作***多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
● nor的读速度比nand稍快一些。
● nand的写入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● nand的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。