buffalo memory今天宣布推出ss6系列固态硬盘，首次配备新型内存“stt-mram”作为缓存缓冲。去年，外置硬盘的平均价格已经下降到了141美元，2003年的均价为197美元，外置硬盘的容量空间也在这期间增长了两倍。
stt-mram即自旋转移矩磁阻随机存储，采用自旋极化电流，以磁状态而非电子充电状态保存数据，相比传统的动态随机存储(am)具有非易失性、高可靠性、超低延迟等特性，海力士、东芝等都在大力研发推进。
我们知道，现在很多固态硬盘都搭载了am缓存，但市am属于易失性存储，掉电就会丢失数据，为此不得不搭配备份电池或者超级电容，还要有高级掉电保护技术，软硬件成本都增加不少。
stt-mram则是非易失性的，就像nand闪存那样即使断电也能保留缓存的数据，并且不需要硬盘向闪存刷新缓存内容。
buffalo ss6使用了来自everspin科技(飞思卡尔半导体投资组建)的d3 st-mram(emd3d064m)，单颗容量64mb(8mb)，wbga封装，完全兼容jedec d3接口规范，频率最高1600mhz，带宽最高32gbs，延迟则是纳秒级别的。
不过，buffalo ss6主要面向工业领域，消费级领域暂时不会看到。详细的规格参数也没有公布，只知道是sata 6gbps接口。