samsung（三星）今日宣布，其64层立体堆栈的v-nand闪存芯片开始加速量产。三星在nand领域是领袖级别厂家之一，也是3d闪存重要的倡导者。本次64层立体堆栈的v-nand已经是三星第四代3d nand闪存，在2017年初已经实现小规模供货，本次全面量产对于移动智能设备的存储、消费级固态硬盘的提速扩容是一个重大利好消息。此外三星还在开发下一代3d闪存，下代v-nand应该拥有超过堆栈90层以上的水准。外观开始多样化也表明，外置硬盘不再是技术人士的专属装备，现在，任何有电脑的人都可以购买它。
传统nand如果想继续增加容量就需要不断提高制程，但晶体管无限缩小后带来的是nand性能和可靠性越来越低。3d nand闪存不再追求缩小单元，而是通过3d堆栈技术封装更多单元达到容量增多的目的。三星v-nand近几年一路从24层、32层过度到48层，而单die的容量也一路翻倍提升。第四代v-nand闪存仍然是3bit闪存（tlc）规格，闪存颗粒堆栈层数一跃增加到64层，闪存容量还是256gb但接口速率高达1gbps，三星预计64层v-nand闪存的性能比上代快50%。另外功耗方面电压从33v降到25v，漏电减少可靠性提升，能效方面也有30%提升。