| 品牌HOMSEMI | 型号HS15N10DA |
| 种类绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型N沟道 |
| 导电方式增强型 | 用途DC/直流 |
| 封装外形SMD(SO)/表面封装 | 材料N-FET硅N沟道 |
| 是否跨境货源否 | 货号17+ |
| 批号17+ | 封装TO252 |
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深圳市硕实科技有限公司原装供应mosfet hs15n10da替代irlr3410 stp14nf10 封装to252 如有需要可致电联系0755-83040406
hs15n10使用homemi的高级专有、平面条纹，dmos技术，提供优良的rds（on），低栅极低栅极电压下的充电和操作。这个装置是合适的。
用作大电流开关应用。
特性：
1》rds（on）＜125 m @ @ vgs＝10v，id= 7.5a
rds（on）＜150 m @ @ vgs＝4.5v，id= 7.5a
2》低导通电阻
3》内置栅极保护二极管
4》高开关速度
5》高功率和电流处理能力
额定值（除非另有说明，tc＝25）：
漏源电压--------------------100v
栅源电压--------------------±20v
连续漏电流------------------15a
雪崩能量单脉冲-------------10mj
峰值二极管恢复dv/dt-------10v/ns
功率耗散-------------------34.7w
结温-----------------------150°с
贮藏温度-------------------55 ~ +150°с
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林先生
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