6月3日消息，笔者于2020年5月17日-20日参加了“2020 ieee 12th international memory workshop(imw 2020, 国际内存研讨会)”的在线会议，其中，5月18日，镁光科技在会议上做了《最尖端am》的主题演讲，本文笔者就镁光的am主题演讲（论文编号：1-1）简单展开论述。中国手机号码
international memory workshop(imw 2020, 国际内存研讨会)的网站。（图片出自cwatch）
10纳米级am的细微化还将继续发展
迄今为止，就制程而言的10纳米（即20纳米以下）级am的细微化蓝图（roadmap）已经发展经历了五个代际，具体被称为：“1x纳米代”、“1y纳米代”、“1z纳米代”、“1α纳米代（1anm）”、“1β纳米代（1b纳米代）”。
2018年夏季， “1x纳米代”处于量产中、完成了“1y纳米代”的研发且处于客户认证中、“1z纳米代”处于硅芯片（silicon die）级别的研发（即处于优化工艺制程的过程中）。后来的“1α纳米代（1anm）”处于研发期，且在推进工艺技术的集成化。2018年底，“1y纳米代”开始量产。
2019年夏季，“1z纳米代”开始量产，且将“1z纳米代”的生产技术应用于16gbit d4 sam和16gbit lpd4 sam的生产。
以上列举的仅仅是缩略代号，具体而言，“1x纳米代”为19纳米-18纳米、“1y纳米代”为17纳米-16纳米、“1z纳米代”为16纳米-14纳米（在镁光进行了主题演讲后，答疑环节获得了此处的具体数值）。可以看出，代际的细微化发展仅有1纳米-2纳米左右，如果按照以上这个节奏发展下去，可以推测出“1α纳米代（1anm）”为14纳米以下、“1β纳米代（1b纳米代）”为13纳米以下。
在镁光的演讲中，也展示了其未来的发展蓝图（roadmap），“1β纳米代（1b纳米代）”以后为“1γ纳米代”、“1δ纳米代”。就细微化尺寸而言，推测“1γ纳米代”为12纳米级、“1δ纳米代”为11纳米级。
各个代际的量产间隔未来还会保持12个月左右的时间。具体而言如下：“1α纳米代（1anm）”的量产时间预计在2020年末-2021年初，“1β纳米代（1b纳米代）”的量产时间预计在2021年末-2022年初，“1γ纳米代”的量产时间预计在2022年末-2023年初，“1δ纳米代”的量产时间预计在2023年末-2024年初。
euv曝光暂不实行、但有可能率先导入4f2cell
就尖端am的研发而言，现在人们普遍关注的是euv lithography（euv光刻技术）与4f2memory cell技术的导入。大型am厂家三星（samsung electronics）在今年（2020年）3月25日正式公布说，已经开始运用euv光刻技术的工艺来量产am模组（module）。此外，大型am厂家海力士（sk hynix）也预计会在不久的将来把euv光刻技术应用到am的生产中。
然而，镁光却对euv光刻技术的采用持有较消极的态度。在2018年6月份，镁光明确表示，在“1β纳米代（1b纳米代）”之前，都不会采用euv光刻技术。在此次的主题演讲后的答疑环节中，镁光表示：“1β纳米代（1b纳米代）”不采用euv光刻，即使采用euv光刻，也是在“1γ纳米代”之后，此外，目前还没有决定“1γ纳米代”是否采用euv光刻。就euv光刻的技术要素而言，镁光表示，目前正在关注光刻胶（resist）技术、光罩（reticle, mask）技术的研发情况。
另一方面，就4f2memory cell的导入而言，镁光表现出了模棱两可、神秘的态度。顺便说一下，在当前的am cell的技术中6f2memory cell是主流。如果导入4f2memory cell技术，从理论上看，memory cell（存储单元）面积会缩小至6f2memory cell的三分之二左右。镁光在演讲中表示，4f2memory cell的关键要素在于新材料（new material）。
在答疑环节，笔者感受到镁光会优先采用4f2memory cell技术，而不是euv光刻技术。但是，细微化的加工技术对4f2memory cell而言是现存的一大难题。
在镁光演讲的幻灯片中，笔者观察到自“1β纳米代”以后，arf液浸曝光的multi patterning（多重成像）技术将会发生较大的变化。在“1α纳米代（1anm）”之前，double patterning（双重成像）的较多、quadruple patterning（四重成像）的极其少。此外，在“1β纳米代（1b纳米代）”以后，quadruple patterning（四重成像）的开始增多、double patterning（双重成像）逐步变少。如果导入4f2memory cell技术，光刻技术的负担将会进一步加大，而且，对蚀刻（etching）技术、成膜技术的要求也会很严格，需要在技术上下大功夫。