目前市场上3d nand闪存产品最流行的是三星，其v-nand技术的3d nand已经发展到第三代。日前toshiba（东芝）和wd（西部数据）公布了其3d nand闪存的最新进展——64层堆栈的bics 3d闪存已经开始出样，比之前的48层堆栈更先进，预计2017年上半年正式量产。其实传统机械硬盘一直都好好的，西数和希捷都以为可以靠碟片掌握江山，直到这几年nand闪存颗粒的出现，传统机械硬盘种种弱点已经说明它不太适合这个时代生存。
东芝号称在所有3d nand闪存中，自家bics技术的闪存核心面积低成本更低。目前量产的是48层堆栈，mlc类型的核心容量128gb，tlc类型的容量可达256gb。新一代bics闪存是64层堆栈的，核心容量256gb（32gb），未来还会推出容量高达512gb的产品。东芝表示64层堆栈的3d nand闪存单位面积容量增加了40%，每片晶圆所能生产的nand容量变大成本更低。