在三星宣布量产第六代v-nand颗粒后，另一巨头toshiba(东芝) 也带来了杀手级产品。今天，东芝官方正式推出了xl-flash闪存，是一种采用3d立体封装、延迟超低的slc闪存，从研发到正式发布只用了大概不到两年时间。hdd硬盘的工作方式导致其工作期间不能出现震动，一旦磁头与磁盘亲密接触很容易形成磁盘坏道最终导致硬盘损坏。
据了解，东芝xl-flash闪存介于传统am内存、nand flash闪存之间，拥有成本低、单芯容量大，性能强等特点，官方表示xl-flash将率先应用于ssd固态硬盘，未来将部署在内存等传统am领域。
具体技术规格，东芝xl-flash每个die裸片容量为128gb(16gb)，支持248个die封装，单芯容量最高可实现128gb，官方表示未来容量肯定还会继续提升。至于性能，xl-flash延迟低于5微秒，比在3d tlc闪存50微秒足足低了近10倍，响应延迟表现优秀。
值得一提的是，由于可分成多达16层，同时页面尺寸仅为4kb，所以远小于3d nand，因此读写效率更高，不过擦除区块尺寸未披露，但相信也会比高容量3d nand小得多。
目前官方未透露具体发货时间，按照三星第六代v-nand的步伐，预计搭载东芝xl-flash的产品会在今年年底或明年年初前问世。