vishay trenchfet® gen v mosfet
●节省空间型器件所需 pcb 空间比 powerpair 6x5f 封装减少 63%
●有助于减少元器件数量并简化设计
威世科技推出两款新型30 v对称双通道n沟道功率mosfet，将高边和低边 trenchfet® gen v mosfet组合在3.3mm x 3.3 mmpowerpair® 3x3fs单体封装中。vishay siliconix sizf5300dt 和 sizf5302dt 适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。
威世科技推出30v对称双通道mosfet
目前发布的双通道 mosfet 可用来取代两个 powerpak 1212 封装分立器件，节省 50% 基板空间，同时占位面积比 powerpair 6x5f 封装双片 mosfet 减小 63%。mosfet 为 usb-c 电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(pol)转换电路和 dc/dc 模块设计人员提供节省空间。这些应用中，sizf5302dt 高低边 mosfet 提供了 50% 占空比和出色能效的优质效果，特别是在 1 a 到 4 a 电流条件下。而 sizf5300dt 则是 12 a 到 15 a 重载的理想解决方案。
sizf5300dt 和 sizf5302dt 利用 vishay 的 30 v gen v 技术实现优异导通电阻和栅极电荷。sizf5300dt 10 v 和 4.5 v 下典型导通电阻分别为 2.02 mω 和 2.93 mω， sizf5302dt 相同条件下导通电阻分别为 2.7 mω 和 4.4 mω。两款 mosfet 4.5 v 条件下典型栅极电荷分别为 9.5 nc 和 6.7 nc。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即 mosfet 功率转换应用重要优值系数(fom)，比相似导通电阻的前代解决方案低 35 %。高频开关应用效率提高 2%，100 w 能效达到 98%。
与前代解决方案对比
威世科技推出30v对称双通道mosfet
器件采用倒装芯片技术增强散热能力，独特的引脚配置有助于简化 pcb 布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。sizf5300dt 和 sizf5302dt 经过 100% rg 和 uis 测试，符合 rohs 标准，无卤素。