eeprom（electrically erasable programmable read-only memory）和flash（闪存）是常见的非易失性存储器，用于需要长期保存数据和程序的应用中。虽然二者的作用类似，但在设计和应用中存在一些区别。
eeprom与flash的区别：
1. 擦除方式不同： eeprom擦除时针对每个字节单独擦除，而flash是按照块擦除，一次擦除的范围通常是几十kb甚至数百kb。
2. 品质不同：eeprom中制造的晶体管的硅质较高，flash的硅质较低，因此flash比eeprom的寿命和稳定性低。
3. 速度快慢不同：eeprom在读写大量数据时，速度明显慢于flash。flash由于是按块擦写，特别适用于读写较大的数据块，所以读写速度较快。
4. 应用场景不同： eeprom适用于对速度和使用寿命没有严格要求的电子产品，如车身控制、智能卡、电子阅读器等。flash易失性较低，适用于需要频繁读写的应用，如内存卡、u盘、mp3/mp4播放器等。
举例说明：
1. 电子锁存储eeprom：eeprom常用于存储电子锁的安全码、解锁方式、io接口设置等重要信息。用户通过钥匙或密码进行解锁时，电子锁会读取eeprom中存储的密匙信息进行验证。
2. usb闪存盘用flash：usb闪存盘采用的是flash技术，主要通过usb总线与计算机进行数据交换。因为flash具有较快的读写速度，足够大的存储空间，可以轻松地读写文件、照片和视频。而且，它不需要任何电源，仅需简单的接口即可使用。
综上所述，eeprom和flash在设计和应用方面有所不同，在具体应用中需要根据实际需求来选择。eeprom适用于存储少量的数据和程序，如电子锁、智能卡等应用。flash适用于需要读写频繁的大量数据的应用，如usb闪存盘、内存卡等应用。