一、稳定工作点的措施
1. 针对icbo的影响，可设法使基极电流ib随温度的升高而自动减小。
2. 针对vbe的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。
二、射极偏置电路稳定工作点的原理
射极偏置电路如图1所示，其直流通路如图2所示。
电路参数选择使电路满足i1>>ib条件，可得
vb » rb2vcc/（rb1+ rb2）
当温度上升® ic（ie）增加® iere增加® vbe减小（因vbe=vb–iere，而vb一定）® ib自动减小® 结果牵制了ic的增加，ic 基本恒定
设计此种电路时，一般可选取：i1=（5~10）ib （硅管）
i1=（10~20）ib （锗管）
vb=（3~5）v （硅管）
vb=（1~3）v （锗管）
由上面的分析可知，bjt参数icbo、vbe、b均随温度变化，对q点的影响，最终都表现在使q点电流ic变化。从这一现象出发，在温度变化时，如果能设法使ic近似维持恒定，问题就可得到解决。如可采取两方面的措施：
（1）针对icbo的影响，可设法使基极电流ib随温度的升高而自动减小。
（2）针对vbe的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。
射极偏置电路是可实现上面两点设想的电路。这个电路稳定工作点的物理过程是这样的：利用rb1和rb2组成的分压器以固定基极电位。如果i1>>ib（i1是流经rb1、rb2的电流），就可近似地认为基极电位vb» rb2vcc/（rb1+ rb2）。在此条件下，当温度上升时，ic（ie）将增加，由于ie的增加，在re上产生的压降iere也要增加，iere的增加部分回送到基极-发射极回路去控制vbe，使外加于管子的vbe减小（因vbe=vb–iere，而vb又被rb1和rb2所固定），由于vbe的减小使ib自动减小，结果牵制了ic的增加，从而使ic基本恒定。
由上述分析可知，i1愈大于ib、vb愈大于vbe，则该电路稳定工作点的效果愈好。为兼顾其他指标，设计此种电路时，一般可选取
i1=（5~10）ib （硅管）
i1=（10~20）ib （锗管）
vb=（3~5）v （硅管）
vb=（1~3）v （锗管）