阿姆斯特丹自由大学(vrije universiteit amsterdam)的漏洞安全实验室vusec 带宽可以说是服务器租用价格的决定因素，100m共享和10m独享的价格就有很大差别，需要的带宽越大费用越高。
lab在本周指出，记忆体制造商为了解决rowhammer攻击而部署的缓解措施并不充分，他们发现了编号为cve2020-10255的新一批漏洞，就算是在最新的d4记忆体上仍能发动rowhammer攻击，而且这是整个记忆体产业的问题，也波及google
pixel 3、oneplus 7及samsung g970fds等手机。
研究人员先是在2012年发现了针对动态随机存取记忆体(am)展开的rowhammer攻击。记忆体是由数列的记忆元(cell)所组成，当黑客锁定所要攻击的记忆体列时，只要重复造访隔壁列的记忆元，就会造成记忆体控制电路的电压波动，影响目标记忆体列，造成位元翻转现象，例如1变成0或0变成1，黑客只要依照需求持续变更记忆体内的位元，最终将能造成权限扩张。
原本研究人员认为rowhammer攻击，只存在于pc及服务器等效能较高的运算装置上，但随着手机运算效能的提升，阿姆斯特丹自由大学(vrije
universiteit amsterdam)的漏洞安全实验室vusec
lab在2016年，证实了该攻击同样适用于手机，在所测试的13款、27支android手机中，成功开采了当中的18支手机，且即使是同样型号的android手机，也可能因记忆体品牌的不同，而有不同的结果。
为了防范rowhammer攻击，记忆体产业部署了统称为「目标列刷新」( target row
refresh，trr)的各式解决方案，其基本概念是设定记忆体列的阀值，并在存取频率超过该阀值时刷新所侦测到的目标列，也一致于新一代的d4上部署trr。
然而，vusec
lab指出，已知的各种rowhammer攻击手法，的确无法对部署trr的d4造成影响，但他们发展了一个新的trrespass工具，可以绕过业者的ttr修补，并成功攻陷了d4。
这是因为现有的rowhammer手法最多利用两列进行攻击，而trrespass的作法，则是不断地在am上的各个区域随机存取不同列，出现太多的攻击列令ttr不知所措，而再度成功造成了目标记忆体列的位元翻转现象。换句话说，只要增加攻击列的数量，ttr就可能会失效。
vusec lab检验了42款am模组，以trrespass成功攻陷了当中的13个。vusec
lab并未公布这些am模组的品牌，因为该实验室认为这是整个记忆体产业的问题，相信前三大am厂商也无法幸免于难。
此外，vusec lab也以trrespass测试了13款手机，成功开采了其中的5款，包括第一代的google pixel 、google pixel
3、lg g7 thinq、oneplus 7与samsung g970fds。
vusec
lab团队已透过github公布了trrsspass的程式码，并打算释出相关的android程式，以让使用者测试自己的手机是否也面临rowhammer攻击的风险。