1.一次编程型只读存储器（prom)
我们已经知道rom是一个“与”、“或”、逻辑阵列结构，当rom制造完毕，用户不能改变其已经存储的内容。而prom则不同，制造这种器件时，使存储阵列（“或”阵列）的所有存储单元的内容全为1（或0），用户根据自己的需要可以对所有的存储单元进行一次性改写。
图1是熔断丝结构的prom基本存储单元示意图。出厂时所有的基本存储单元为1，即存储阵列中的熔丝都是通的。若用户通过大电流将当熔丝烧断，则该基本存储单元改写成为0。prom的熔丝烧断不能再接上，因而只能编程一次，故称为一次编程型只读存储器。
图1 熔断丝构成的
prom基本存储单元
图2 prom的阵列图
为了表明pld存储内容情况，常常用阵列图表示。图2所示的是prom阵列图。它由一个固定的“与”阵列（地址译码器）和一个可编程的“或”阵列（存储阵列）构成。同rom相比，二者差别在于“或”阵列是否能用户编程。图中黑点表示固定连接，叉点表示编程点。为了表示的方便，常常把prom不可编程的“或”阵列（地址译码器）表示成象rom那样，用一方框示出。
图3 用prom构成阶梯波发生器
图4 阶梯波
图5 prom编程阵列图
同rom一样，利用prom可以实现任何组合逻辑函数。二者区别在于前者由制造器件时确定，后者可以由用户一次性编程确定。prom广泛应用于波形转换、字符集组建等。如图3，利用prom构成的阶梯波信号发生器，输出电压vo的波形由prom存储内容决定。prom的四个输出端控制反相比例运算的运放输入端的四个电子开关（实际中可可由d/a转换器实现，见第11章）。当d=1时，开关接基准电压-vr；当d=0时，开关接“地”。若要产生如图4所示的周期阶梯波信号，则prom的编程表如下表所示。prom的编程阵列图如图6所示。
图6中prom包含了一个4/16线固定的“与”阵列地址译码器及一个16字×4位的可编程“或”存储阵列。
2.可改写型只读存储器（eprom）
图7 eprom2716管脚排列及功能说明
prom只能一次编程，而可改写型只读存储器可多次擦除并重新写入新内容。最为典型的是紫外线擦除，在eprom器件外壳上有透明的石英窗口，用紫外线（或x射线）照射，来完成擦除操作。
eprom2716是一种常见的容量为2k（2048×8bit）的可改写型只读存储器。图7是其外引线排列和功能说明。编程时，vpp接25v电源，片选信号端 接高电平，在编程控制端pd/pgm加脉宽为50ms的正脉冲。工作使用中，vpp与vcc一起接5v电源，pd/pgm与 连接一起作为片选信号，当出现低电平0时便选中该片，可从该片读取数据。
在实际设计的工业控制机等应用中,常常是ram和eprom（往往固化系统程序）一起使用，完成信息处理任务。如图8，采用1片eprom2716和3片ram6116将字数扩展8k存储器的接线图，图中4个芯片由2/4线译码器低电平有效输出端选择，各芯片所占据的地址范围和对应单元号见表2。 端、i/o（数据）端、a10～a0地址输入端都对应并联在一起。
图8 由1片eprom2716和4片ram6116组成的64k存储器
表2 各芯片所占据的地址范围和对应单元号
3.电擦除型只读存储器（eeprom）
eeprom是在eprom基础上发展而来的一种可以实现快速擦除只读存储器。它克服了eprom对照射时间和照s度的技术要求及擦除的速度也比较慢的缺陷，所以这种擦除方式操作起来十分方便。eeprom的内部“与”阵列和“或”阵列和eprom相似，只是写入方式不同。