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接下来的年代就一直沿着1965年诞生的摩尔定律循规蹈矩的scaling了，带来速度、密度、性能的一次次提升。一路从bulk-si走到32nm走不下去了，才开始从planar走向3dfinfet以及soi技术。mosfet器件：mosfet来自metal-oxide-semiconductorfieldeffecttrasistor，就是gate栅极作为控制极的，而oxide是栅氧作为场效应感应反型沟道的，semiconductor自然就是衬底沟道的硅了，而fieldeffect自然就是说它的工作原理了，它的控制极是靠栅极电压通过栅极氧化层感应产生反型沟道实现源漏导通，从而实现“0”和“1”的转换。mos结构mosfet是四端结构，分别是栅极、源极、漏极、和衬底(body)。结构上面的栅极是低电阻的材料形成，他与衬底的沟道之间还要有个薄的栅氧化层。一般情况，源漏极是和衬底以及沟道相反的掺杂类型（比如nmos的源漏是n-type，而衬底和沟道就是p-type），所以源漏极之间因为各自的pn节就关闭了。但是当栅极加电压(nmos加正电压，pmos加负电压)，通过栅极氧化层感应一个电场加在了沟道表面，所以衬底的少数载流子就被吸附到沟道表面累积并反型，最后变得和源漏极掺杂一样了，从而实现了源漏极导通。一般栅极的开启电压(vt)会收到栅极与衬底的功函数以及栅氧的厚度/质量，还有衬底的掺杂浓度共同决定的。
多晶耗尽效应：metalgate我记得我以前的文章有讲过hkmg，栅极材料如果是多晶，那么它的掺杂是随着栅极电压会发生改变的，栅极底部靠近栅氧的掺杂会被电场吸上去，而底部近似不掺杂的poly会变成绝缘体，被计入栅极氧化层厚度里，导致夸导降低。当然除了改用high-k材料外，还有就是换金属栅极，当然不能是铝，后面源漏激活的高温受不了。所以必须是难熔金属，而且必须有合适的功函数，否则vt就守不住了。和high-k材料一样，metalgate也是intel率先在45nm上引入量产的，还是intel牛啊。器件结构的创新上面讲的都是传统的mos结构，一直缩小遇到的各种问题及解法。但是总有黔驴技穷的时候，所以该结构势在必行！也就是现在流行的soi和finfet技术。主要目的就是大化gate-to-channel电容并且最小化drain-to-channel电容。
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快恢复二极管：有0.8-1.1v的正向导通压降，35-85ns的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管frd（fastrecoverydiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管srd（superfastrecoverydiode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（pwm）、不间断电源（ups）、交流电动机变频调速（vvvf）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
集成电路（ic）厂房洁净室如何做好amc控制？随着工艺生产技术的不断发展，生产对于环境及其他配套系统的要求也相应越来越严格，说到环境首当其冲的是洁净室。一些研究结果表明，空气中的金属离子（na、k、fe、cu、zn等）会破坏绝缘层，使p-n结漏电；而氮氧化物、二氧化硫、氨、有机物、臭氧、硼、磷等都会引起电路缺陷。amc已直接影响到产品的成品率和可靠性，应加以控制。amc的来源amc，全称airbornemolecularcontamination，即空气中分子级污染物。amc来源于洁净室内及室外空气。洁净室内的amc主要来源于以下几个方面：工艺生产使用的各种hua学品，工艺设备和原材料的气体释放，室内操作人员以及各种建筑材料等。室外空气中的amc多少与ic厂房所在地的空气质量有关，且地方差异性较大，通常越是工厂集中的工业区来自室外的amc就越严重。
的控制减少洁净室内的amc应从以下四个方面进行控制：01控制室内产生工艺生产线本身是amc大的产生源，因工艺生产中要使用各种hua学品，这些hua学品或多或少的要散发到室内空气中形成amc，所以首先应从生产工艺上考虑尽量减少hua学品的使用，另外应控制工艺设备的制作材料、涂料的释放气体。目前通常采取以下措施：1、尽量采用amc释放低的建筑装修材料、涂料及密封材料，目前常用的建材中聚四氟乙烯、玻璃、不锈钢、铝合金、表面经烤漆处理的金属材料、高弹性聚氨脂涂料、环氧瓷漆等是可以接受的，而环氧树脂涂料、硅密封胶、单h双面密封胶带、阻燃剂已不适用了；2、改进建筑材料加工工艺，提高加工精度，工程中尽量不用密封胶；3、洁净系统中的hepa/ulpa过滤器应采用聚四氟乙烯（ptfe）或低硼低有机物的玻璃纤维制作，另外目前常用的dop测试方法以及钠焰测试也是不能接受的，sematech推荐采用以去离子水雾携带的固态聚苯乙烯（polystyrenelatex，psl）小球作为测试粒子；4、系统中的吸音材料尽量不用玻璃纤维，可以用发泡金属等材料代替；5、上静压箱用无密封的烤漆板制作；6、制作风管的材料必须脱脂，密封垫用丁基橡胶；7、洁净室空间内的电缆也应采用amc释放低的材料制作。
栅极漏电：high-k栅极氧化层的厚度随着等比例缩小也一直减薄，到65nm的时候需要有效栅氧厚度(eot)接近23a(phsical16a)，再往下将就比自然氧化层还薄了，directtunnel(quantummechanicaltunneling)漏电根本无法承受。回过头来想，我们为什么要薄？因为我们要得到更高的夸导来感应沟道反型，那夸导来自于什么？公式自己查一下就知道了来自于，要提升电容你要么降低厚度，要么提高介电常数，既然降低厚度走不下去了，那就换介电常数吧。于是就有了high-k栅极介电材料。high-k栅极材料的突破的突破来自于2007年，首次发明于intel的45nm采用了hfo2(hafnium)，它的介电常数是25，而我们的sio2是3.9，自己比一下吧。
这就是说，在基极补充一个很小的ib，就可以在集电极上得到一个较大的ic，这就是所谓电流放大作用，ic与ib是维持一定的比例关系，即：β1=ic/ib式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△ic与基极电流的变化量△ib之比为：β=△ic/△ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。α1=ic/ie（ic与ie是直流通路中的电流大小）式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系。α=△ic/△ie表达式中的α为交流共基极电流放大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。
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