gan功率开关是一种高效率、高可靠性的新型半导体器件，因为其在能量转换过程中有着更低的损耗和更高的开关速度，它已逐渐替代了传统半导体器件。但同时，gan功率开关对电磁干扰（emi）产生了不容忽视的影响。
首先，gan功率开关具有高峰值电流和高开关速度，这可能导致高频噪声和干扰信号的生成。当这些信号传递到其他电路中时，可能会干扰设备的正常运行。这一问题特别具有挑战性，因为gan功率开关常用于高频和高功率应用。例如，在电力转换器、照明、射频和无线通信系统中都广泛应用。
其次，gan功率开关的高开关速度会生成电磁脉冲（emp）。由于这些emp的幅度很大，可能会导致较大的emi。此外，高开关速度还会导致瞬时电压和电流的变化，可能会引起其他设备的emi问题。
为了解决这些问题，研究人员提出了几种方法来降低gan功率开关的emi。其中最为广泛的方法是使用滤波器。滤波器可以通过去除噪声和其他杂散信号的方式降低emi。另一种方法是使用电磁屏蔽，将gan功率开关的电磁辐射范围限制在设备内部。
总之，尽管gan功率开关的高效率和高可靠性已获得广泛认可，但其对emi的影响也不容忽视。使用滤波器和电磁屏蔽可以在一定程度上减少这种影响。未来的研究还需要探索更好的解决方案，以确保gan功率开关的应用不会影响其他设备的正常运行。