由于bjt本身参数具分散性且会随q点变化而改变，因此在应用h参数等效电路来分析放大电路时，首先必须得到bjt在q点处的h参数。
获得h参数的方法:
图1
1、可采用h参数测试仪，或利用bjt特性图示仪测量b和rbe。
2、也可以借助公式进行估算rbe：
rbe= rb+（1+b）re （1）
式中rb为基区体电阻，对于低频小功率管，rb约为200w 左右。re为发射结电阻。（1+b）re是re折算到基极回路的等效电阻，根据pn结的v-i 特性表达式，可以导出re的值为vt（mv）/ie（ma）。这样，式（1）可改写为
（2）
式中vt为温度的电压当量，在室温（300k）时，其值为26mv。应当注意的是，式（2）的适用范围为0.1ma<ie<5ma，实验表明，超越此范围，将带来较大的误差。