igbt是继mosfet之后，新一代的开关器件，主要用于高压和高电流的开关控制。igbt的全称是isolated gate bipolar transistor，是由晶体管和mosfet的优点相结合而形成的器件。它具有低开关损耗、高输入阻抗、低噪声和高速开关等优点，因此在各个领域都得到广泛应用，如电力、轨道交通、电动汽车等。
在选择igbt时，需要考虑以下几个方面：
一、电压等级
igbt的电压等级是选择时的重要因素。一般而言，越高的电压等级对应的是更高的价格，但也能带来更高的工作效率。因此，在选型时需要根据所需工作电压来选择适合的器件。
二、电流等级
电流等级是另一个重要的选型考虑因素。电流等级较高的igbt通常具有更高的开关速度和更低的开关损耗，但也需要更大的散热器和设计迹象的考虑。因此，在确定所需电流等级之前，需要对需要控制的电流进行评估。
三、开关速度
igbt的开关速度可以极大地影响整个系统的性能。因此，在选型时，需要考虑所需开关频率和所需的上升时间和下降时间。在实际应用中，需要根据实际需求来平衡开关速度和其他性能要求之间的关系。
四、环境温度
环境温度对igbt的工作十分重要，因为高温会导致散热不良，并降低器件寿命。因此，在选型时，需要考虑所需工作温度的范围，并选择适合的散热器来确保系统的稳定性和可靠性。
除了以上几个因素，在选型时，还需要考虑其他因素，如峰值电流、电容、导通电压降等因素。同时，还需要注意器件质量、制造商的信誉和技术支持等。这些因素可以对系统的性能和可靠性产生重要的影响。
总的来说，在选型igbt时需要综合考虑多方面的因素，才能选出最合适的器件。选型不当可能会导致取得的结果与期望不符或者无法达到预期目标，因此在选型之前，需要进行充分的实验验证和性能评估，以确保系统的正常运行和稳定性。