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适用于大功率led芯片封装,采用共晶技术,焊接时使用. 1.适用于大功率led芯片封装时, 2.温度可设定于350度, 3.氮气浓度200ppm-100ppm. 4.炉体全长1590mm 5.日本大厂,大功率led芯片封装,生产使用中
上海弗莱德机电有限公司
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