1，ssd 主控芯片 到底有哪几种有那些是比较好的或者说是适合平时使2，主流ssd固态硬盘的主控芯片有哪些哪种ssd主控芯片性能更好3，slcmlctlc闪存芯片颗粒有什么区别4，ssd里的slc3 bit mlcmlctlc是什么意思有什么区别选5，固态硬盘中的mlctlc和3dvnand的区别是什么1，ssd 主控芯片 到底有哪几种有那些是比较好的或者说是适合平时使
目前来说是sandforce的sf-2281和marvell的88ss9174（88ss9174-bld2和88ss9174-bkk2固件可通用，前者初期是用在oem市场上，但是后面零售版m4也一部分是用bld2的）这两种主控是目前性能最强的强烈建议镁光m4性能最猛的还是迈威的吧
2，主流ssd固态硬盘的主控芯片有哪些哪种ssd主控芯片性能更好
主控芯片现在分为三类，一类是ssd厂商自己研发的，比如ocz自己研发的barefoot 3，优势是性能摸得透固件稳定性能表现最好；一类是公版硬件，固件需要厂商自己开发，这个主要是marvell，性能和厂商的固件开发能力有关，差别比较大；一类是台系主控代表，全套的主控硬件和固件都是公版的，厂商只是一个组装厂，完全不参与到研发当中，性能最低，代表主控有sm2246en、phision 3109，一般山寨小厂都是这种。ssd其实也就是类似存储卡的原理了，相比传统硬盘自然速度高，几乎没有热量的，还防震动啊 不过固态硬盘我还是等出pci-e接口再买，那绝对极速 ssd现在最低的都是80g左右的了，几乎没有32g
3，slcmlctlc闪存芯片颗粒有什么区别
slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒有什么区别? slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵(约mlc 3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命; mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命 tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash厂家叫8lc，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。 mlc和tlc特性比较 结论：slc > mlc > tlc 目前大多数u盘都是采用tcl芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。 而ssd固态硬盘中，目前mlc颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价ssd固态硬盘普遍采用的是tcl芯片颗粒，大家在购买固态硬盘的时候，可以在产品参数中去了解，如下图所示。 slc颗粒固态目前主要在一些高端固态硬盘中出现，售价多数上千元，甚至更贵。
4，ssd里的slc3 bit mlcmlctlc是什么意思有什么区别选
从贵到便宜是slc、mlc、tlc（也叫3 bit mlc），寿命从长到短也是这个顺序。现在个人家用也就mlc和tlc了，寿命都能满足，tlc的便宜一些。不过选择ssd应该同时注重品牌、销量、性能、兼容性等等，不能只看芯片。slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约mlc 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash厂家叫8lc，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。3 bit mlc是三星的叫法，理论上可以视为tlc。三星由于在半导体上游的优势和先进的技术，所以三星的3 bit mlc比一般的tlc寿命要好得多！请注意，以上只是纯理论，看看就行了！！！至于选择什么样的ssd，要从ssd的发展来看。最开始的ssd是slc芯片，寿命高但是价格更高，根本就没法普及；后来mlc芯片的ssd上市，因为价格便宜了，所以一般家庭用户用的起了，当然相比slc芯片，mlc的性能也不错，所以ssd在这个时期得到了飞速的发展，其中最著名的就是三星的830、美光的m4；从2012年开始，一些技术牛的厂商开始尝试tlc芯片的ssd，代表性的产品就是840，因为性能不错，寿命够用
5，固态硬盘中的mlctlc和3dvnand的区别是什么
mlc可以储存更多的数据，可降低生产成本，寿命中等，传输速度较慢。tlc传输速度更慢，价格便宜，但是寿命短，通常用在u盘或者存储卡这类移动存储设备上。3d nand闪存的容量大、性能号、成本低、可靠性都有了保证。mlc （微网独创多层次分佣 (multi-level commission)）要解释mlc的话，必然要提到slc。mlc和slc属于两种不同类型的nand flash存储器，可以用来作为mp3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。slc全称是single-level cell，即单层单元闪存，而mlc全称则是multi-level cell，即为多层单元闪存。tlc即triple-level cell的缩写，是2bit/cell的mlc闪存延伸，tlc达到3bit/cell，tlc利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之mlc闪存扩大了0.5倍。tlc闪存也如当年mlc闪存一样，在攻克p/e使用寿命的难关后，在今年下半年走上主流舞台。目前各大主流主控厂商开发支持tlc闪存的主控，并且已经进化到第三代，有效提高tlc ssd的性能，延长tlc ssd的p/e使用寿命。3dv-nand而3d 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，intel之前用盖楼为例介绍了3d nand，普通nand是平房，那么3d nand就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。优点：3d nand解决问题的思路就不一样了，为了提高nand的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3d nand闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了