1．mos控制晶闸管（mct）
mos控制晶闸管（mct）的静态特性与晶闸管相似，由于它的输入端由mos管控制，mct属场控型器件,其开关速度快，驱动电路比gto的驱动电路要简单；mct的输出端为晶闸管结构，其通态压降较低，与scr相当，比igbt和gtr都要低。
mct出现于20世纪80年代，开始发展很快，但其结构和制造工艺比较复杂，成品率不高，由于这些关键技术问题没有得到很好的解决，目前mct没能投入实际使用。mct的结构类似于igbt，是一种复合型大功率器件，它将p-mosfet的高输入阻抗、低驱动功率及快开关速度和晶闸管的高电压、大电流、低导通压降的特点结合起来。其等值电路和符号如图1所示。
2．集成门极换流晶闸管（igct）
集成门极换流晶闸管（igct）于20世纪90年代开始出现。igct的结构是将gto芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再将其门极驱动器在外部以低电感方式连接成环状的门电极。igct具有大电流、高电压、高开关频率（比gto高10倍）、结构紧凑、可靠性好、损耗低、制造成品率高等特点。目前，igct已在电力系统中得到应用，以后有可能取代gto在大功率场合应用的地位。
a） mct等值电路 b） 符号
图1 mct等值电路及符号