(1) 漏源击穿电压uds：决定了功率mosfet的最高工作电压。
(2) 栅源击穿电压ugs ：表征功率mosfet栅源之间能承受的最高电压。该参数很重要：因为人体常常带有高压静电，所以在接触mos型器件，包括电力mosfet、普通mosfet、mos型集成电路时，可以先用手接触一下接地的导体，将身体的静电放掉，否则容易将gs间的绝缘层击穿。另外，在用烙铁焊mos型器件时，应将烙铁加热后，拔下电源插座，再焊器件。
(3) 漏极最大电流id：表征功率mosfet的电流容量。一般厂家给定的漏极直流（额定）电流id 是外壳温度为25度时的值，所以要考虑裕量，一般为3-5倍。
(4) 开启电压ut：又称阈值电压，指功率mosfet流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。
(5) 通态电阻ron：通态电阻ron是指在确定栅源电压ugs下，功率mosfet处于恒流区时的直流电阻，是影响最大输出功率的重要参数。
(6) 极间电容：功率mosfet的极间电容是影响其开关速度的主要因素。其极间电容分为两类；一类为cgs和cgd，它们由mos结构的绝缘层形成的，其电容量的大小由栅极的几何形状和绝缘层的厚度决定；另一类是cds，它由pn结构成，其数值大小由沟道面积和有关结的反偏程度决定。
一般生产厂家提供的是漏源短路时的输入电容ci、共源极输出电容cout及反馈电容cf，它们与各极间电容关系表达式为
ci＝cgs＋cgd cout＝cds＋cgd cf＝cgd
显然，ci﹑cout和cf均与漏源电容cgd有关。