oit15c-nr 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极，该集电极连接到单个焊盘，每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm，lcc 封装电气间距为 1.10 mm。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2。该产品的优点是硅传感器下面文章将为您具体讲解下《优势供应optoi光电晶体管阵列oit15c》等内容，还请感兴趣的继续阅读了解一下，谢谢!
oit15c-nr 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极，该集电极连接到单个焊盘，每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm，lcc 封装电气间距为 1.10 mm。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2。
该产品的优点是硅传感器的高度均匀性，由于单片结构和受控的微电子过程，信号的高稳定性和高光学响应性，由于沉积在光电晶体管区域上的抗反射涂层。
该设备采用薄塑料薄膜保护，可抵抗回流炉工艺。一旦将设备组装到电子板上，就须去除薄膜，用户可以安装光学标线片。尺寸减小，以优化成本和编码器空间。两个参考标记可用于准确的标线定位。
性能特点
耐焊接工艺，msl2硅电池的高均匀性更小的光学间距，更宽的有效区域高增益非常小的尺寸准确安装的参考点提供分划板组装服务
技术参数
工作温度范围：-40 100 °c
储存温度：-40 100 °c
引线温度（焊锡）3s：230 °c
集电极-发射极击穿电压@ta=25°c ib=100na ic=1ma：50 v
功耗，ta=25°c 时：150 mw
静电放电敏感性：3级
暗电流 vr=10v：典型5na，max.100 na
响应度：0.5 a/w
峰值响应度 vce=5v：750 nm
光谱带宽@50% vce=5v：500…950 nm
发射极-集电极电流 vce=7.7v：0.025…100 μa
集电极-发射极电流 vce=52v：0.025…100 μa
增益 vcc=5v ic=2ma：典型500，min.1100，max.500
饱和电压 ie=2ma ib=20μa：80…200 mv
通态集电极电流 vce=5v ee=1.0mw/cm2：1 ma
上升时间vcc=5v ic=1ma r1=1kω：10 μs
下降时间 vcc=5v ic=1ma r1=1kω：10 μs
光电晶体管有效面积：0.125 mm2
有效区域长度：0.25 mm
有效区域宽度：0.50 mm
产品尺寸
产品应用
光学编码器
增量编码器
光接收器
控制/驱动
光传感器
产品参数
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