批发单晶硅原料和单晶硅方棒

单晶制备方法 cz 导电类型 p 掺杂剂 borom(b) 晶向晶向偏离度 1μs 氧含量(oi) ≤1.0*1018/cm3 碳含量(c) ≤5.0*1016/cm3 位错密度 ≤3000/cm3 外观无裂纹,无孪晶直径 6,

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