底部填充制程(Underfillprocess)
底部填充材料可以大幅提升可靠度，避免覆晶与基板之的连结失效导致产品功能异常，主要填充方式
可分为Pre-assembly(NCP/NCF)及Post-assembly(CUF/MUF)两种类型.
Post-assemblyunderfill
?CUF(capillaryunderfill)
在覆晶组装及助焊剂清洗完成后，在芯片周围点胶，利用毛细现象让胶材吸入芯片底部至完成填充，随后加热固化，
?MUF(moldingunderfill)
使用改良后的压模材料来取代CUF，利用转移成型(Transfermold)的注胶方式将底部填充材料注入覆晶与基板之间的
空隙来完成底部填充同时亦完成芯片覆盖保护，主要的优点为产出快而缺点为制程限制(材料/设计)较多.
Pre-assemblyunderfill
?NCF(Nonconductivefilm)
在覆晶组装前，于覆晶晶圆贴合胶膜，晶圆切割后利用回焊或TCB组装方式完成覆晶与基板的连结制程.
?NCP(Nonconductivepaste)
与NCF的制程类似，在覆晶组装前于基板喷涂一层胶材，于组装后，不同于CUF制程需要清洗助焊剂，NCP与NCF
制程皆不用此清洁制程，可避免助焊