toshiba和sandisk，本周表示他们已经完成了垂直堆叠3d nand闪存设备的研发项目。两研发的bics nand闪存将会在2016年大批量生产，而新的固态存储设备性能和可靠性将会更强。hdd硬盘的工作方式导致其工作期间不能出现震动，一旦磁头与磁盘亲密接触很容易形成磁盘坏道最终导致硬盘损坏。
toshiba的三维bics nand闪存结构在一个2bitcell 128gb(16gb)的设备中堆叠了48个字线层,通过使用更薄的制程技术令每台设备的三维结构增加大量的记忆层，而不是缩减每个单元的尺寸。因此，除要求个别的小单元外,3d nand允许更大面积的位密度(因而不需要高端制程)。3d nand 闪存的总收益在业内众所周知：低成本(一旦产量达到商业可行性)，高性能和可靠度。toshiba和sandisk研发的 bics 3d nand架构的独特性，如u形nand字符串，使其具有最大的阵列效率。后者的意思是目前的bics 3d nand存储芯片将会比其他竞争对手生产的3d nand闪存设备更小更便宜。
新的bics 3d nand闪存提高了写入和擦除次数，比二维nand闪存写入速度更快。由此可想而知，基于3d nand固态硬盘的应用程序会比超薄制程基于二维nand 的固态硬盘更加可靠。
“我们很荣幸地宣布，与toshiba合作研发，拥有48层架构的第二代3d nand研发成功(toshibasandisk研发的第一代3d nand主要用于内部测试和开发作业)，” sandisk 存储技术执行副总裁dr. siva sivaram表示，“我们利用第一代3d nand作为学习工具研发而成的商用第二代3d nand,相信会为我们的客户带来强有力的的存储方案。”2016上半年，日本mie辖区四日市拆除后新建的fab2一旦落成，toshiba和sandisk就会开始生产 bics 3d nand存储器。新型存储器将用于可拆卸产品到企业固态硬盘的广泛方案中。samsung生产高容量3d v-nand存储器到现在已有1年半之久。该提供各种基于3d v-nand的产品。近期apple开始在新的苹果电脑和笔记本中使用samsung基于3d v-nand的固态硬盘。