| 品名富铈金属 | 牌号thisis牌号 |
| 产地包头 | 稀土含量≥thisis稀土含量≥% |
| 杂质含量杂质含量5915% | 重量重量3020kg/块 |
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碲化镉 - 系统编号
cas号：1306-25-8
mdl号：mfcd00015998
einecs号：215-149-9
rtecs号：ev3330000
pubchem号：24855535
碲化镉 - 毒理学数据
1、急性毒性：大鼠引入腹膜ld50：2820mg/kg：发抖，体重下降 小鼠口经ld50：>15gm/kg 小鼠引入腹膜ld50：2100mg/kg：发抖，体重下降
碲化镉 - 计算化学数据
1、 氢键供体数量：0
2、 氢键受体数量：0
3、 可旋转化学键数量：0
4、 拓扑分子极性表面积（tpsa）：0
5、 重原子数量：2
6、 表面电荷：0
7、 复杂度：2
8、 同位素原子数量：0
9、 确定原子立构中心数量：0
10、 不确定原子立构中心数量：0
11、 确定化学键立构中心数量：0
12、 不确定化学键立构中心数量：0
13、 共价键单元数量：1
cdte薄膜太阳电池较其他的薄膜电池容易制造，因而它向商品化进展***快。已由实验室研究阶段走向规模化工业生产。下一步的研发重点，是进一步降低成本、提高效率并改进与完善生产工艺。cdte太阳能电池在具备许多有利于竞争的因素下，但在2002年其全球市占率仅0.42﹪，目前cdte电池商业化产品效率已超过10﹪，究其无法耀升为市场主流的原因，大至有下列几点：一、模块与基材材料成本太高，整体cdte太阳能电池材料占总成本的53﹪，其中半导体材料只占约5.5﹪。二、碲天然运藏量有限，其总量势必无法应付大量而全盘的倚赖此种光电池发电之需。三、镉的毒性，使人们无法放心的接受此种光电池。
碲化镉(cadmium telluride)
由碲和镉构成的ⅱ-ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构。
碲化镉的物理性质
碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。
多晶合成用纯度为99.9999％的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1mpa。当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。
单晶生长 合成好的多晶料可用垂直布里支曼法，碲熔剂法、气相升华法、高压融体生长法等生长单晶。生长速度分别为2mm／h、3mm／h、0.2mm／h、5mm／h。垂直布里支曼法是现在常用于生长碲化镉单晶的方法，其生长示意图如图所示。
生长碲化镉单晶较困难，其原因是元素镉和元素碲在碲化镉生长温度都有较高蒸气压，因此晶体易偏离化学配比；另-个原因是镉易沾附石英安瓿。