取代sic涂层的mocvd工艺托盘，高纯氮化铝材质mocvd托盘
现市场led外延外生产工艺多采用sic涂层的石墨盘做为托盘。
此类产品更多的被采用于gan（氮化镓）基板的外延，因为其要求温度更高，
但于由于sic涂层的厚度较低，高低温反复使用造成sic涂层热膨冷缩破损，裸露出内部石墨，石墨在高于1000度的情况下与反应气体中的hn3（氨气）发生反应，产生相应杂质，从而托盘不能再使用需要更换。这样的时间大约需要1-2个月。
现在我司推出日本公司新开发的高纯氮化铝陶瓷生产的mocvd托盘，可以完全取代现在采用的sic涂层产品。
以下为本产品与sic涂层产品的相应比较。
一，高纯氮化铝材料的特性；
1，氧的固溶量
2，高密度，约为3.23g/cm3,相对密度约为99%，高密度成形，致密烧结技术
3, 热传导率约为90w/mk
二，特性比较
耐腐蚀性 热传导性 寿命 价格
石墨+sic x ○ x ◎
高纯sic △ ○ ○ x
aln ○ ○ ○ ○
x表示不可，○表示可，◎表示好
三，表面欠缺比较
sic涂层品加工工艺上的原因，有时会有部分欠缺，各别部分的涂层厚度也没有办法管理。
高纯氮化铝村料则相反，这样托盘的导热性均一，平坦度高，所生产的外延片的质量要更好。
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刘忠后
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