graphene-supermarket 1ml-cvd-graph-bn-sio2-8p说明书
cvd graphene film/cvd h-bn film heterostructure on sio2/si wafer: 8 pack在sio2 / si晶片上的cvd石墨烯薄膜/ cvd h-bn薄膜异质结构：8个装
石墨烯/ h-bn薄膜的性质：单层h-bn膜上的单层石墨烯膜 转移到285nm（p掺杂）sio 2 / si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8包
每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的覆盖率约为98％
薄膜是连续的，有小孔和有机残留物
高结晶质量
石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有小的多层岛（低于5％的双层）
薄层电阻：430-800ω/平方
石墨烯薄膜以及h-bn薄膜通过cvd方法在铜箔上生长，然后转移到sio 2 / si晶片上。
要在转移前查看薄膜的特性，请参阅我们的相关产品 铜箔上的石墨烯 和 铜箔上的h-bn。
硅/二氧化硅晶片的特性：氧化层厚度：285nm
氧化层厚度：285nm
颜色：紫罗兰色
晶圆厚度：525微米
电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米
型号/掺杂剂：p /硼
方向：<100>
前表面：抛光
背面：蚀刻
应用：石墨烯/ hbn界面用于需要精确门控石墨烯，增加迁移率和减少散射的场合。
h-bn作为基于石墨烯的电子器件的基底具有吸引力，因为其表面原子级光滑，没有悬空键，并且具有与石墨烯类似的结构。
在石墨烯上使用我们的sio2 / si晶片上的h-bn将鼓励您探索用于晶体管应用的石墨烯异质结构
我们的石墨烯/ h-bn薄膜使用pmma辅助转移方法制造。有关详细信息，请参阅以下参考。
我们可以在4“晶圆上提供定制尺寸的石墨烯/ h-bn薄膜。有关详细信息，请通过info@graphenelab.com与我们联系。
学术参考/阅读更多石墨烯生长
在铜箔上大面积合成高质量和均匀的石墨烯薄膜科学2009年6月5日：vol。324.没有。5932，pp.1312 - 1314
石墨烯转移
用于高性能透明导电电极的大面积石墨烯薄膜的转移，li et.al.，nano lett。，2009,9（12），pp 4359-4363
走向清洁和无裂缝转移石墨烯liang et.al.，acs nano，2011,5（11），pp 9144-9153
石墨烯/ h-bn异质结构
石墨烯，六方氮化硼（h-bn）和石墨烯/ h-bn异质结构的电学性质和应用
materials today physics，science direct：vol 2，september 2017，pp 6-34
第2卷，2017年9月，第6-34页作者链接打开覆盖面板
sku 1ml-cvd-graph-bn-sio2-8p
重量 0.10磅
550.00美元
详细的图像
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